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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是由BJT（雙極晶體管）和MOS（絕緣柵場效應晶體管）組成的復合完全受控電壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定的特點。市場上出售的大多數模塊化產品都是此類產品。一般來說，IGBT也指IGBT模塊。 IGBT是能量轉換和傳輸的核心設備，俗稱電力電子設備。作為國家戰略性新興產業，已廣泛應用于軌道交通，智能電網，航空航天，電動汽車和新能源設備中，并隨著節能環保概念共同發展，這樣的產品在市場上將會越來越被看到。

如果在將IGBT芯片連接至其散熱器的焊料中存在一組三個小空隙，并且這些空隙彼此靠近，則將防止熱量迅速從器件下方區域散發。隨著時間的流逝，間隙上方的區域可能會過熱，并且芯片可能會發生電氣故障，從而導致系統出現故障。

由于IGBT通常用于高壓和高功率應用，因此其發生的故障既昂貴又危險。在IGBT內部結構缺陷有機會發生故障之前找到它們是有意義的。

從制造工藝的角度來看，IGBT與普通半導體產品相同。產業鏈包括設計，制造，封裝和測試。國內企業在IGBT領域工藝基礎薄弱且產業化起步較晚，在設計、測試以及封裝等核心技術方面還積累不夠。X射線可以對IGBT進行無損檢測成像，射線能夠穿透IGBT模塊的散熱片來實現有效檢測，通過穿透射線的衰減從而觀察出圖像的局部差異。

X射線檢測設備能夠大批量檢測IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。IGBT是混合動力汽車中最常見的，但它也可用于傳統汽車的啟動電動機。 IGBT會散發大量熱量。如果任何結構異常（例如空隙或未粘合）會干擾散熱路徑，則可能會因過熱而失效。

IGBT中最常見的缺陷是氣隙和鍵合喪失，X射線成像能夠成功探測焊料中的空隙。其他常見的缺陷包括陶瓷筏的翹曲或傾斜（兩者都會改變熱流并使芯片破裂）以及芯片下方焊料中的孔隙率。可以在封裝之前或之后通過X射線成像檢查IGBT模塊。如果在封裝前對它們進行了成像檢測，則有問題的部件可以再次維修。

X射線檢測的最大優勢在于檢測結果直觀，通過圖像展現IGBT內部的缺陷，軟件自動識別判定更是提高了X射線檢測的準確率，降低了人工的誤判率，在IGBT生產制造過程中既保證了產品質量又在研發設計階段提供了可靠的改進依據。

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