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x-ray檢測(cè)設(shè)備廠家讓你透徹了解什么是IC封裝
發(fā)布時(shí)間:2020-07-27 10:05:44


什么是IC封裝技術(shù)?

 

封裝技術(shù)是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。封裝對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)是必須的,也是至關(guān)重要的。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離,以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面,封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB(印制電路板)的設(shè)計(jì)和制造,因此它是至關(guān)重要的。

 

IC封裝技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段

第一階段:20世紀(jì)80年代以前(插孔原件時(shí)代)。

 封裝的主要技術(shù)是針腳插裝(PTH),其特點(diǎn)是插孔安裝到PCB上,主要形式有SIP、DIP、PGA,它們的不足之處是密度、頻率難以提高,難以滿足高效自動(dòng)化生產(chǎn)的要求。

 

第二階段:20世紀(jì)80年代中期(表面貼裝時(shí)代)。

表面貼裝封裝的主要特點(diǎn)是引線代替針腳,引線為翼形或丁形,兩邊或四邊引出,節(jié)距為1.27到0.4mm,適合于3-300條引線,表面貼裝技術(shù)改變了傳統(tǒng)的PTH插裝形式,通過(guò)細(xì)微的引線將集成電路貼裝到PCB板上。主要形式為SOP(小外型封裝)、PLCC(塑料有引線片式載體)、PQFP(塑料四邊引線扁平封裝)、J型引線QFJ和SOJ、LCCC(無(wú)引線陶瓷芯片載體)等。它們的主要優(yōu)點(diǎn)是引線細(xì)、短,間距小,封裝密度提高;電氣性能提高;體積小,重量輕;易于自動(dòng)化生產(chǎn)。它們所存在的不足之處是在封裝密度、I/O數(shù)以及電路頻率方面還是難以滿足ASIC、微處理器發(fā)展的需要。

 

第三階段:20世紀(jì)90年代出現(xiàn)了第二次飛躍,進(jìn)入了面積陣列封裝時(shí)代。

 該階段主要的封裝形式有焊球陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、無(wú)引線四邊扁平封裝(PQFN)、多芯片組件(MCM)。BGA技術(shù)使得在封裝中占有較大體積和重量的管腳被焊球所替代,芯片與系統(tǒng)之間的連接距離大大縮短,BGA技術(shù)的成功開(kāi)發(fā),使得一直滯后于芯片發(fā)展的封裝終于跟上芯片發(fā)展的步伐。CSP技術(shù)解決了長(zhǎng)期存在的芯片小而封裝大的根本矛盾,引發(fā)了一場(chǎng)集成電路封裝技術(shù)的革命。

 

第四階段:進(jìn)入21世紀(jì),迎來(lái)了微電子封裝技術(shù)堆疊式封裝時(shí)代。

它在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化,從原來(lái)的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng)。目前,以全球半導(dǎo)體封裝的主流正處在第三階段的成熟期,PQFN和BGA等主要封裝技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),部分產(chǎn)品已開(kāi)始在向第四階段發(fā)展。發(fā)行人所掌握的WLCSP封裝技術(shù)可以進(jìn)行堆疊式封裝,發(fā)行人封裝的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)芯片就是采用堆疊式的三維封裝。

 

IC封裝技術(shù)國(guó)內(nèi)外對(duì)比

中國(guó)封裝技術(shù)與國(guó)外封裝技術(shù)的差距:

1.封裝技術(shù)人才嚴(yán)重短缺、缺少制程式改善工具的培訓(xùn)及持續(xù)提高培訓(xùn)的經(jīng)費(fèi)及手段。

2.先進(jìn)的封裝設(shè)備、封裝材料及其產(chǎn)業(yè)鏈滯后,配套不全且質(zhì)量不穩(wěn)定。

3.封裝技術(shù)研發(fā)能力不足,生產(chǎn)工藝程序設(shè)計(jì)不周全,可操作性差,執(zhí)行能力弱。

4.封裝設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)能力欠偉,缺少有經(jīng)驗(yàn)的維修工程師,且可靠性實(shí)驗(yàn)設(shè)備不齊全,失效分析(FA)能力不足。

5.國(guó)內(nèi)封裝企業(yè)除個(gè)別企業(yè)外,普遍規(guī)模較小,從事低端產(chǎn)品生產(chǎn)的居多,可持續(xù)發(fā)展能力低,缺乏向高檔發(fā)展的技術(shù)和資金。

6.缺少團(tuán)隊(duì)精神,缺乏流程整合、持續(xù)改善、精細(xì)管理的精神,缺少現(xiàn)代企業(yè)管理的機(jī)制和理念。

 

IC的封裝形式

IC Package (IC的封裝形 式)Package--封裝體:

 

?指芯片(Die)和不同類型的框架(L/F)和塑封料( EMC)形成的不同外形的封裝體。

?IC Package種類很多,可以按以下標(biāo)準(zhǔn)分類:

 

●按封裝材料劃分為:金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝

●按照和PCB板連接方式分為:PTH封裝和SMT封裝

●按照封裝外型可分為:SOT、SOlC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等;

 

 

IC Package (IC的封裝形式)

 

●按封裝材料劃分為:

金屬封裝主要用于軍工或航天技術(shù),無(wú)商業(yè)化產(chǎn)品;
陶瓷封裝優(yōu)于金屬封裝,也用于軍事產(chǎn)品,占少量商業(yè)化市場(chǎng);
塑料封裝用于消費(fèi)電子,因?yàn)槠涑杀镜停に嚭?jiǎn)單,可靠性高而占有絕大部分金屬封裝的市場(chǎng)份額。

 

IC Package (IC的封裝形式)

 

●按與PCB板的連接方式分為:

PTH-Pin Through Hole,通孔式;

SMT-Surface Mount Technology,表面貼裝式。目前市面上大部分IC均釆カSMT式的。

 

 

IC Package (IC的封裝形式)

●按封裝外型可分為:SOT、QFN、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等;封裝形式和工藝逐步高級(jí)和復(fù)雜
●決定封裝形式的兩個(gè)關(guān)鍵因素:

?封裝效率。芯片面積/封裝面積,盡量接近1:1;
?引腳數(shù)。引腳數(shù)越多,越高級(jí),但是工藝灘度也相應(yīng)增加:

其中,CSP由于采用了Flip Chip技術(shù)和裸片封裝,達(dá)到了芯片面積/封裝而積=1:1,為目前**級(jí)的技術(shù);

 

IC Package (IC的封裝形式)

●QFN- -Quad Flat No-lead Package四方無(wú)引腳扁平封裝●SOIC- -Small Outline IC小外形IC封裝
●TSSOP- -Thin Small Shrink Outline Package薄小外形封裝●QFP- -Quad Flat Package四方引腳扁平式封裝
●BGA- -Ball Grid Array Package球柵陣列式封裝
●CSP- -Chip Scale Package芯片尺寸級(jí)封裝

 

IC結(jié)構(gòu)圖

 

 

IC封裝原材料

 

 

 

日聯(lián)X光機(jī)

前段工藝



晶圓切割




芯片粘接




引線焊接

利用高純度的金線(Au)、銅線(Cu)或鋁線(AI) 把Pad

Lead通過(guò)焊接的方法連接起來(lái)。Pad是芯片上電路的外接

點(diǎn),Lead是Lead Frame上的連接點(diǎn)。

W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部 工藝。


FOL- Wire Bonding引線焊接

Capillary:陶瓷劈刀。W/B 工藝中最核心的-個(gè)Bonding Tool,內(nèi)部頭空心,中間穿上金線,并分別在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一-和第二焊點(diǎn):

EFO:打火桿。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。打火桿打火形成高溫,將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊點(diǎn)(Bond Ball) ;

Bond Ball:第一-焊點(diǎn)。 指金線在Cap的作用下,在Pad 上形成的爐段,一般為一個(gè)球形; :

Wedge:第二焊點(diǎn)。指金線在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接點(diǎn),一般為月牙形 (或者魚(yú)尾形) ;

W/B四要素:壓力(Force) 、超聲(USG Power)、時(shí)間(Time溫度(Temperature) ;


Wire Bond的質(zhì)量控制:

Wire Pull、Stitch Pull (金線頸部和尾部拉力)

Ball Shear (金球推力)

Wire Loop ( 金線弧高)

Ball Thickness (金球厚度)

Crater Test (彈坑測(cè)試)

Intermetallic (金屬間化合物測(cè)試)


后段工藝

EOL-注塑-激光打字-高溫固化-去電鍍-電鍍退火-成型-第四刀光檢


注塑

※為了防止外部環(huán)境的沖擊,利用EMC把Wire Bonding完成后產(chǎn)品封裝起來(lái)的過(guò)程,并需要加熱硬化。


?EMC (塑封料)為黑色塊狀,低溫存儲(chǔ),使用前需先回溫。其物性為:在高溫下先處于熔融狀態(tài),然后會(huì)逐漸硬化,最終成型。

?Molding參數(shù):Molding Temp: 175~185°C; Clamp Pressure: 3000~4000N:Transfer Pressure: 1000~1 500Psi; Transfer Time: 5~15s;Cure Time: 60~120s。


-L/F置于模具中,每個(gè)Die位于Cavity中,模具合模。

-塊狀EMC放入模具孔中

-高溫下,EMC開(kāi)始熔化,順著軌道流間Cavity中

-從底部開(kāi)始,逐漸覆蓋芯片

-完全覆蓋包裹完生成型固化


激光打字

在產(chǎn)品(Package) 的正面或者背面激光刻字。內(nèi)容有:產(chǎn)品名稱,生產(chǎn)日期,生產(chǎn)批次等:


模后固化

用于Molding后塑封料的固化,保護(hù)|C內(nèi)部結(jié)構(gòu),消除內(nèi)部應(yīng)力。Cure Temp: 175+/-5° C; Cure Time: 8Hrs


去溢料

目的: De-flash的 目的在于去除Molding后在管體周圍Lead之間多余的溢料:

方法:弱酸浸泡,高壓水沖洗;


電鍍退火

目的:讓無(wú)鉛電鍍后的產(chǎn)品在高溫下烘烤一.段時(shí)間,目的在于消除電鍍層潛在的晶須生長(zhǎng)(Whisker Growth)的問(wèn)題;

條件: 150+/-5C; 2Hrs;


切筋成型

Trim:將一-條片的Lead Frame切割成單獨(dú)的Unit (IC) 的過(guò)程;

Form:對(duì)Trim后的IC產(chǎn)品進(jìn)行引腳成型,達(dá)到T藝需要求的形狀,并放置進(jìn)Tube或者Tray盤(pán)中:


第四道光檢

Final Visual Inspection-FVI

在低倍放大鏡下,對(duì)產(chǎn)品外觀進(jìn)行檢查。主要針對(duì)EOL工藝可能產(chǎn)生的廢品:例如Molding缺陷,電鍍?nèi)毕莺蚑rim/Form缺陷等、



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