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X射線實時成像助力IGBT
發(fā)布時間:2020-01-07 09:00:00

什么是IGBT?

 

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET則驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大、載流密度小。而IGBT則兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的兩方面優(yōu)點。

 

IGBT由VOMOS及BJT組成。VOMOS是V型場效應(yīng)管,電壓驅(qū)動器件,輸入阻抗高但輸入電容大,IGBT是VOMOS在前BJT在后,在高壓大電流應(yīng)用時,后級的BJT壓降小、導(dǎo)通電阻的效率高,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。簡單點說就是大功率的開關(guān)器件。

 

半導(dǎo)體生產(chǎn)不論是前道還是后道都需要用到一種設(shè)備,X射線實時在線成像設(shè)備,通過X射線的成像原理準(zhǔn)確的檢測出缺陷,提升良品率等。

 

針對半導(dǎo)體器件X射線檢測需求,日聯(lián)科技推出了一款在線式設(shè)備——LX2000。設(shè)備外形美觀、檢測區(qū)域大、分辨率強、放大倍率高,系統(tǒng)采用封閉式射線源和平板探測器作為核心部件,具備良好的檢測效果。

 

先進(jìn)的IGBT技術(shù)加上高效的檢測手段,勢必能為高效節(jié)能、節(jié)材,為新能源、工業(yè)自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應(yīng)加熱)提供了新的商機。



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